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DG419DY-T1-E3 CIs de comutação analógicos SPDT simples 22/25 V

Imagem em destaque do circuito integrado de comutação analógica DG419DY-T1-E3 SPDT simples 22/25 V
  • DG419DY-T1-E3 CIs de comutação analógicos SPDT simples 22/25 V

Descrição curta:

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria do produto: Interface – Switches analógicos, multiplexadores, demultiplexadores
Ficha de dados:DG419DY-T1-E3
Descrição: CI CHAVE ANALÓGICA CMOS 8SOIC
Status RoHS: compatível com RoHS


Envie um e-mail para nós

Detalhes do produto

Características

Benefícios

Aplicações

Etiquetas de produtos

♠ Descrição do produto

Atributo do produto Valor do Atributo
Fabricante: Vishay
Categoria do produto: CIs de comutação analógicos
Estilo de montagem: SMD/SMT
Pacote/Caixa: SOIC-8
Número de canais: 1 canal
Configuração: 1 x SPDT
Sobre Resistência - Máx.: 35 Ohms
Tensão de alimentação - Mín.: 13 V
Tensão de alimentação - Máx.: 44 V
Tensão de alimentação dupla mínima: +/- 15 V
Tensão máxima de alimentação dupla: +/- 15 V
No horário - Máx.: 175 ns
Tempo de folga - Máx.: 145 ns
Temperatura mínima de operação: - 40°C
Temperatura máxima de operação: + 85 °C
Série: DG
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cortar fita
Embalagem: MouseReel
Marca: Vishay / Siliconix
Altura: 1,55 milímetros
Comprimento: 5 milímetros
Pd - Dissipação de Potência: 400 mW
Tipo de produto: CIs de comutação analógicos
Quantidade de embalagem de fábrica: 2500
Subcategoria: CIs de comutação
Corrente de alimentação - Máx.: 1 uA
Tipo de fornecimento: Fornecimento único, fornecimento duplo
Corrente Contínua de Comutação: 30 mA
Largura: 4 milímetros
Pseudônimos da peça nº: DG419DY-E3
Peso unitário: 0,019048 onças

 

♠ Chaves analógicas CMOS de precisão

Os switches analógicos CMOS monolíticos DG417, DG418 e DG419 foram projetados para fornecer comutação de alto desempenho de sinais analógicos. Combinando baixo consumo de energia, baixas fugas, alta velocidade, baixa resistência de ativação e tamanho compacto, a série DG417 é ideal para aplicações industriais e militares portáteis e alimentadas por bateria, que exigem alto desempenho e uso eficiente do espaço da placa.

Para atingir classificações de alta tensão e desempenho de comutação superior, a série DG417 é construída com base no processo de porta de silício de alta tensão (HVSG) da Vishay Siliconix. A quebra antes do fechamento é garantida para o DG419, que é uma configuração SPDT. Uma camada epitaxial impede o travamento.

Cada interruptor conduz igualmente bem em ambas as direções quando ligado e bloqueia até o nível de alimentação quando desligado.

O DG417 e o DG418 respondem a níveis lógicos de controle opostos, conforme mostrado na Tabela Verdade.


  • Anterior: Microcontroladores ARM STM32F100C4T6B – MCU 32 bits CORTEX M3 48 pinos 16 KB
  • Próximo: Microcontroladores ARM STM32F103C8T6 – MCU 32 bits Cortex M3 64 KB 20 KB RAM 2X12 ADC

  • • Faixa de sinal analógico de ± 15 V
    • Resistência ligada – RDS(ligado): 20 
    • Ação de comutação rápida – tON: 100 ns
    • Requisitos de energia ultrabaixos – PD: 35 nW
    • Compatível com TTL e CMOS
    • Empacotamento MiniDIP e SOIC
    • Alimentação máxima de 44 V
    • Alimentação máxima de 44 V
    • Em conformidade com a diretiva RoHS 2002/95/EC

    • Ampla faixa dinâmica
    • Erros de sinal baixo e distorção
    • Ação de comutação de interrupção antes de fazer
    • Interface simples
    • Espaço reduzido no tabuleiro
    • Maior confiabilidade

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