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FDMC6679AZ MOSFET -30V Canal P de Trincheira de Energia

Imagem em destaque da vala de alimentação de canal P MOSFET FDMC6679AZ -30V
  • FDMC6679AZ MOSFET -30V Canal P de Trincheira de Energia

Descrição curta:

Fabricantes: onsemi

Categoria do produto: MOSFET

Ficha de dados:FDMC6679AZ

Descrição: MOSFET P-CH 30V POWER33

Status RoHS: compatível com RoHS


Envie um e-mail para nós

Detalhes do produto

Características

Aplicações

Etiquetas de produtos

♠ Descrição do produto

Atributo do produto Valor do Atributo
Fabricante: onsemi
Categoria do produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Pacote/Caixa: Potência-33-8
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 30 V
Id - Corrente de Dreno Contínua: 20 A
Rds On - Resistência Dreno-Fonte: 10 mOhms
Vgs - Tensão de porta-fonte: - 25 V, + 25 V
Vgs th - Tensão de limiar de porta-fonte: 1,8 V
Qg - Taxa de portão: 37 nC
Temperatura mínima de operação: - 55°C
Temperatura máxima de operação: + 150 °C
Pd - Dissipação de Potência: 41 O
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: Trincheira de Poder
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cortar fita
Embalagem: MouseReel
Marca: onsemi / Fairchild
Configuração: Solteiro
Transcondutância direta - mín.: 46 S
Altura: 0,8 milímetros
Comprimento: 3,3 milímetros
Tipo de produto: MOSFET
Série: FDMC6679AZ
Quantidade de embalagem de fábrica: 3000
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal P
Largura: 3,3 milímetros
Peso unitário: 0,005832 onças

♠ FDMC6679AZ P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -20 A, 10 mΩ

O FDMC6679AZ foi projetado para minimizar perdas em aplicações de comutação de carga. Avanços nas tecnologias de silício e encapsulamento foram combinados para oferecer a menor proteção contra rDS(on) e ESD.


  • Anterior: Microcontroladores ARM STM32F405RGT6 MCU ARM M4 1024 FLASH 168 MHz 192kB SRAM
  • Próximo: Microcontroladores ARM STM32F405VGT6 MCU ARM M4 1024 FLASH 168 MHz 192kB SRAM

  • • Máx. rDS(on) = 10 mΩ em VGS = -10 V, ID = -11,5 A

    • Máx. rDS(on) = 18 mΩ em VGS = -4,5 V, ID = -8,5 A

    • Nível de proteção ESD HBM de 8 kV típico (nota 3)

    • Faixa VGSS estendida (-25 V) para aplicações de bateria

    • Tecnologia de vala de alto desempenho para rDS(on) extremamente baixo

    • Alta potência e capacidade de manuseio de corrente

    • A terminação é livre de chumbo e compatível com RoHS

     

    • Interruptor de carga em notebook e servidor

    • Gerenciamento de energia da bateria do notebook

     

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