FQU2N60CTU MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
♠ Descrição do produto
Atributo do produto | Valor do atributo |
Fabricante: | onsemi |
Categoria de Produto: | MOSFET |
Tecnologia: | Si |
Estilo de montagem: | Através do orifício |
Pacote / Estojo: | TO-251-3 |
Polaridade do transistor: | Canal N |
Número de canais: | 1 canal |
Vds - Tensão de interrupção da fonte de dreno: | 600 V |
Id - Corrente de Drenagem Contínua: | 1,9A |
Rds On - Resistência da Fonte de Dreno: | 4,7 ohms |
Vgs - Tensão da Fonte do Gate: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Tensão limite da fonte de porta: | 2V |
Qg - Carga do Portão: | 12 nC |
Temperatura operacional mínima: | - 55 C |
Temperatura operacional máxima: | + 150 C |
Pd - Dissipação de energia: | 2,5 W |
Modo de Canal: | Aprimoramento |
Embalagem: | Tubo |
Marca: | onsemi / Fairchild |
Configuração: | Solteiro |
Tempo de outono: | 28 ns |
Transcondutância direta - Mín.: | 5S |
Altura: | 6,3 mm |
Comprimento: | 6,8 mm |
Tipo de Produto: | MOSFET |
Tempo de subida: | 25 ns |
Series: | FQU2N60C |
Quantidade do pacote de fábrica: | 5040 |
Subcategoria: | MOSFETs |
Tipo de transistor: | 1 Canal N |
Tipo: | MOSFET |
Tempo típico de atraso de desligamento: | 24 ns |
Tempo de Atraso de Ligação Típico: | 9 ns |
Largura: | 2,5 mm |
Unidade de peso: | 0,011993 onças |
♠ MOSFET – Canal N, QFET 600 V, 1,9 A, 4,7
Este MOSFET de potência do modo de aprimoramento N-Channel é produzido usando a tecnologia planar stripe e DMOS proprietária da onsemi.Esta avançada tecnologia MOSFET foi especialmente adaptada para reduzir a resistência no estado e para fornecer desempenho de comutação superior e alta força de energia de avalanche.Esses dispositivos são adequados para fontes de alimentação de modo comutado, correção de fator de potência ativa (PFC) e reatores de lâmpadas eletrônicas.
• 1,9 A, 600 V, RDS(ligado) = 4,7 (Máx.) @ VGS = 10 V, ID = 0,95 A
• Baixa carga de porta (Typ. 8,5 nC)
• Baixo Crss (Typ. 4,3 pF)
• 100% testado em avalanches
• Esses dispositivos são isentos de halídeos e estão em conformidade com RoHS