FQU2N60CTU MOSFET 600V Canal N Adv Q-FET Série C
♠ Descrição do produto
| Atributo do produto | Valor do Atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoria do produto: | MOSFET |
| Tecnologia: | Si |
| Estilo de montagem: | Orifício passante |
| Pacote/Caixa: | TO-251-3 |
| Polaridade do transistor: | Canal N |
| Número de canais: | 1 canal |
| Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: | 600 V |
| Id - Corrente de Dreno Contínua: | 1,9 A |
| Rds On - Resistência Dreno-Fonte: | 4,7 Ohms |
| Vgs - Tensão de porta-fonte: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Tensão de limiar de porta-fonte: | 2 V |
| Qg - Taxa de portão: | 12 nC |
| Temperatura mínima de operação: | - 55°C |
| Temperatura máxima de operação: | + 150 °C |
| Pd - Dissipação de Potência: | 2,5 W |
| Modo de canal: | Aprimoramento |
| Embalagem: | Tubo |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Configuração: | Solteiro |
| Tempo de outono: | 28 ns |
| Transcondutância direta - mín.: | 5 S |
| Altura: | 6,3 milímetros |
| Comprimento: | 6,8 milímetros |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Tempo de subida: | 25 ns |
| Série: | FQU2N60C |
| Quantidade de embalagem de fábrica: | 5040 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tipo: | MOSFET |
| Tempo típico de atraso de desligamento: | 24 ns |
| Tempo típico de atraso de ativação: | 9 ns |
| Largura: | 2,5 milímetros |
| Peso unitário: | 0,011993 onças |
♠ MOSFET – Canal N, QFET 600 V, 1,9 A, 4,7
Este MOSFET de potência com modo de aprimoramento de canal N é produzido utilizando a tecnologia proprietária de faixa planar e DMOS da Onsemi. Esta tecnologia avançada de MOSFET foi especialmente desenvolvida para reduzir a resistência no estado ligado e proporcionar desempenho de comutação superior e alta resistência à energia de avalanche. Esses dispositivos são adequados para fontes de alimentação comutadas, correção ativa do fator de potência (PFC) e reatores eletrônicos para lâmpadas.
• 1,9 A, 600 V, RDS(ligado) = 4,7 (máx.) @ VGS = 10 V, ID = 0,95 A
• Baixa carga de porta (típico 8,5 nC)
• Baixo Crss (típico 4,3 pF)
• 100% testado contra avalanches
• Esses dispositivos são livres de halogênios e estão em conformidade com a RoHS
