IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ Descrição do produto
Atributo do produto | Valor do Atributo |
Fabricante: | Infineon |
Categoria do produto: | MOSFET |
Tecnologia: | Si |
Estilo de montagem: | SMD/SMT |
Pacote/Caixa: | TO-252-3 |
Polaridade do transistor: | Canal N |
Número de canais: | 1 canal |
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: | 40 V |
Id - Corrente de Dreno Contínua: | 50 A |
Rds On - Resistência Dreno-Fonte: | 7,2 mOhms |
Vgs - Tensão de porta-fonte: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tensão de limiar de porta-fonte: | 2 V |
Qg - Taxa de portão: | 22,4 nC |
Temperatura mínima de operação: | - 55°C |
Temperatura máxima de operação: | + 175 °C |
Pd - Dissipação de Potência: | 46 W |
Modo de canal: | Aprimoramento |
Qualificação: | AEC-Q101 |
Nome comercial: | OptiMOS |
Embalagem: | Carretel |
Embalagem: | Cortar fita |
Embalagem: | MouseReel |
Marca: | Tecnologias Infineon |
Configuração: | Solteiro |
Tempo de outono: | 6 ns |
Altura: | 2,3 milímetros |
Comprimento: | 6,5 milímetros |
Tipo de produto: | MOSFET |
Tempo de subida: | 7 ns |
Série: | OptiMOS-T2 |
Quantidade de embalagem de fábrica: | 2500 |
Subcategoria: | MOSFETs |
Tipo de transistor: | 1 canal N |
Tempo típico de atraso de desligamento: | 5 ns |
Tempo típico de atraso de ativação: | 5 ns |
Largura: | 6,22 milímetros |
Pseudônimos da peça nº: | IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1 |
Peso unitário: | 0,011640 onças |
• Canal N – Modo de aprimoramento
• Qualificado pela AEC
• MSL1 até 260°C de pico de refluxo
• Temperatura de operação de 175°C
• Produto Verde (compatível com RoHS)
• 100% testado contra avalanches