IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ Descrição do produto
Atributo do produto | Valor do atributo |
Fabricante: | Infineon |
Categoria de Produto: | MOSFET |
Tecnologia: | Si |
Estilo de montagem: | SMD/SMT |
Pacote / Estojo: | TO-252-3 |
Polaridade do transistor: | Canal N |
Número de canais: | 1 canal |
Vds - Tensão de interrupção da fonte de dreno: | 40 V |
Id - Corrente de Drenagem Contínua: | 50A |
Rds On - Resistência da Fonte de Dreno: | 7,2mOhms |
Vgs - Tensão da Fonte do Gate: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tensão limite da fonte de porta: | 2V |
Qg - Carga do Portão: | 22,4 nC |
Temperatura operacional mínima: | - 55 C |
Temperatura operacional máxima: | + 175 C |
Pd - Dissipação de energia: | 46 W |
Modo de Canal: | Aprimoramento |
Qualificação: | AEC-Q101 |
Nome comercial: | OptiMOS |
Embalagem: | Carretel |
Embalagem: | Cortar fita |
Embalagem: | MouseReelName |
Marca: | Tecnologias Infineon |
Configuração: | Solteiro |
Tempo de outono: | 6 ns |
Altura: | 2,3 mm |
Comprimento: | 6,5 mm |
Tipo de Produto: | MOSFET |
Tempo de subida: | 7 ns |
Series: | OptiMOS-T2 |
Quantidade do pacote de fábrica: | 2500 |
Subcategoria: | MOSFETs |
Tipo de transistor: | 1 Canal N |
Tempo típico de atraso de desligamento: | 5 ns |
Tempo de Atraso de Ligação Típico: | 5 ns |
Largura: | 6,22 mm |
Part # Aliases: | IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1 |
Unidade de peso: | 0,011640 onças |
• Canal N - modo de aprimoramento
• AEC qualificado
• MSL1 até refluxo de pico de 260°C
• Temperatura operacional de 175°C
• Produto Verde (compatível com RoHS)
• 100% testado em Avalanche