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IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC

Imagem em destaque: MOSFET IRFR6215TRPBF 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
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  • IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC

Descrição curta:

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria do produto: Transistores – FETs, MOSFETs – Único
Ficha de dados:IRFR6215TRPBF
Descrição: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Status RoHS: compatível com RoHS


Envie um e-mail para nós

Detalhes do produto

Características

Etiquetas de produtos

♠ Descrição do produto

Atributo do produto Valor do Atributo
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Pacote/Caixa: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 150 V
Id - Corrente de Dreno Contínua: 13 A
Rds On - Resistência Dreno-Fonte: 580 mOhms
Vgs - Tensão de porta-fonte: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensão de limiar de porta-fonte: 4 V
Qg - Taxa de portão: 66 nC
Temperatura mínima de operação: - 55°C
Temperatura máxima de operação: + 175 °C
Pd - Dissipação de Potência: 110 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cortar fita
Embalagem: MouseReel
Marca: Tecnologias Infineon
Configuração: Solteiro
Tempo de outono: 37 ns
Transcondutância direta - mín.: 3,6 S
Altura: 2,3 milímetros
Comprimento: 6,5 milímetros
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de subida: 36 ns
Quantidade de embalagem de fábrica: 2000
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal P
Tipo: Preliminares
Tempo típico de atraso de desligamento: 53 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 14 ns
Largura: 6,22 milímetros
Pseudônimos da peça nº: IRFR6215TRPBF SP001571562
Peso unitário: 0,011640 onças

 

♠ IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET® MOSFET de potência

Os HEXFETs de quinta geração da International Rectifier utilizam avançadostécnicas de processamento para atingir a menor resistência possível porárea de silício. Este benefício, combinado com a rápida velocidade de comutaçãoe design de dispositivo robusto que os MOSFETs de potência HEXFET sãobem conhecido por, fornece ao designer um dispositivo extremamente eficientepara uso em uma ampla variedade de aplicações.

O D-PAK foi projetado para montagem em superfície usando fase de vapor,infravermelho ou técnicas de soldagem por onda. A versão com fio reto(série IRFU) é para aplicações de montagem em furo passante. Potêncianíveis de dissipação de até 1,5 watts são possíveis em superfícies típicasmontar aplicativos.


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  •  Canal P

     Temperatura de operação de 175°C

     Montagem em superfície (IRFR6215)

     Chumbo reto (IRFU6215)

     Tecnologia de Processo Avançada

     Troca rápida

     Totalmente classificado para avalanches

     Sem chumbo

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