IXFA22N65X2 MOSFET 650V/22A Ultra Junção X2
♠ Descrição do produto
| Atributo do produto | Valor do Atributo |
| Fabricante: | IXYS |
| Categoria do produto: | MOSFET |
| Tecnologia: | Si |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Pacote/Caixa: | TO-263-3 |
| Polaridade do transistor: | Canal N |
| Número de canais: | 1 canal |
| Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: | 650 V |
| Id - Corrente de Dreno Contínua: | 22 A |
| Rds On - Resistência Dreno-Fonte: | 160 mOhms |
| Vgs - Tensão de porta-fonte: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Tensão de limiar de porta-fonte: | 2,7 V |
| Qg - Taxa de portão: | 38 nC |
| Temperatura mínima de operação: | - 55°C |
| Temperatura máxima de operação: | + 150 °C |
| Pd - Dissipação de Potência: | 360 W |
| Modo de canal: | Aprimoramento |
| Nome comercial: | HiPerFET |
| Embalagem: | Tubo |
| Marca: | IXYS |
| Configuração: | Solteiro |
| Tempo de outono: | 10 ns |
| Transcondutância direta - mín.: | 8 S |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Tempo de subida: | 35 ns |
| Série: | Junção Ultra X2 650V |
| Quantidade de embalagem de fábrica: | 50 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tempo típico de atraso de desligamento: | 33 ns |
| Tempo típico de atraso de ativação: | 38 ns |
| Peso unitário: | 0,139332 onças |
