Detalhes do produto
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| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | IXYS |
| Categoria de Produto: | MOSFET |
| Tecnologia: | Si |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Pacote / Estojo: | TO-263-3 |
| Polaridade do transistor: | Canal N |
| Número de canais: | 1 canal |
| Vds - Tensão de interrupção da fonte de dreno: | 650 V |
| Id - Corrente de Drenagem Contínua: | 22A |
| Rds On - Resistência da Fonte de Dreno: | 160 mOhms |
| Vgs - Tensão da Fonte do Gate: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Tensão limite da fonte de porta: | 2,7 V |
| Qg - Carga do Portão: | 38 nC |
| Temperatura operacional mínima: | - 55 C |
| Temperatura operacional máxima: | + 150 C |
| Pd - Dissipação de energia: | 360 W |
| Modo de Canal: | Aprimoramento |
| Nome comercial: | HiPerFET |
| Embalagem: | Tubo |
| Marca: | IXYS |
| Configuração: | Solteiro |
| Tempo de outono: | 10 ns |
| Transcondutância direta - Mín.: | 8S |
| Tipo de Produto: | MOSFET |
| Tempo de subida: | 35 ns |
| Series: | 650V Ultra Junção X2 |
| Quantidade do pacote de fábrica: | 50 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tempo típico de atraso de desligamento: | 33 ns |
| Tempo de Atraso de Ligação Típico: | 38 ns |
| Unidade de peso: | 0,139332 onças |
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