TPS51200QDRCRQ1 CI especializado em gerenciamento de energia novo e original
♠ Descrição do produto
| Atributo do produto | Valor do Atributo |
| Fabricante: | Instrumentos Texas |
| Categoria do produto: | Especializada em Gestão de Energia - PMIC |
| RoHS: | Detalhes |
| Série: | TPS51200-Q1 |
| Tipo: | Automotivo |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Pacote/Caixa: | VSON-10 |
| Corrente de saída: | 600 mA |
| Temperatura mínima de operação: | - 40°C |
| Temperatura máxima de operação: | + 125 °C |
| Qualificação: | AEC-Q100 |
| Embalagem: | Carretel |
| Embalagem: | Cortar fita |
| Embalagem: | MouseReel |
| Marca: | Instrumentos Texas |
| Sensível à umidade: | Sim |
| Corrente de alimentação operacional: | 700 uA |
| Pd - Dissipação de Potência: | 0,79 W |
| Tipo de produto: | Especializada em Gestão de Energia - PMIC |
| Quantidade de embalagem de fábrica: | 3000 |
| Subcategoria: | PMIC - CIs de gerenciamento de energia |
| Peso unitário: | 0,001386 onças |
♠TPS51200-Q1 Regulador de terminação DDR de dissipador e fonte
O dispositivo TPS51200-Q1 é um regulador de terminação de dupla taxa de dados (DDR) com dissipador e fonte, projetado especificamente para sistemas de baixa tensão de entrada, baixo custo e baixo ruído, onde o espaço é um fator crucial. O dispositivo TPS51200-Q1 mantém uma resposta transitória rápida e requer apenas uma capacitância de saída mínima de 20 μF. O dispositivo TPS51200-Q1 suporta uma função de sensoriamento remoto e todos os requisitos de energia para terminação de barramento DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR3 de baixo consumo e DDR4 VTT.
Além disso, o dispositivo TPS51200-Q1 fornece um sinal PGOOD de dreno aberto para monitorar a regulação de saída e um sinal EN que pode ser usado para descarregar VTT durante S3 (suspensão para RAM) para aplicações DDR.
O dispositivo TPS51200-Q1 está disponível no pacote VSON-10 termicamente eficiente e é classificado
ecológico e livre de chumbo. O dispositivo é especificado para temperaturas de –40°C a 125°C.
• Qualificado para aplicações automotivas
• Orientação de teste AEC-Q100 com os seguintes resultados:
– Grau de temperatura do dispositivo 1: –40°C a 125°C Temperatura ambiente de operação
– Dispositivo HBM ESD Classificação Nível 2
– Classificação CDM ESD do dispositivo Nível C4B
• Tensão de entrada: Suporta trilhos de 2,5 V e 3,3 V
• Faixa de tensão VLDOIN: 1,1 V a 3,5 V
• Regulador de terminação de dissipador/fonte inclui compensação de queda
• Requer capacitância de saída mínima de 20 μF (normalmente 3 × 10 μF MLCCs) para aplicações de terminação de memória (DDR)
• PGOOD para monitorar a regulação da produção
• Entrada EN
• A entrada REFIN permite rastreamento de entrada flexível diretamente ou por meio do divisor de resistor
• Sensoriamento Remoto (VOSNS)
• Referência de buffer de ±10 mA (REFOUT)
• Partida suave, UVLO e OCL integrados
• Desligamento térmico
• Atende às especificações DDR, DDR2 JEDEC; Suporta aplicações DDR3, DDR3L, DDR3 de baixo consumo e DDR4 VTT
• Pacote VSON-10 com almofada térmica exposta
• Regulador de terminação de memória para DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR3 de baixo consumo e DDR4
• Notebook, Desktop, Servidor
• Telecomunicações e comunicação de dados, estação base GSM, LCDTV e PDP-TV, copiadora e impressora, decodificador
