Transistores bipolares NSS60201LT1G – BJT 60V NPN BAIXO VCE(SAT) XTR
♠ Descrição do produto
| Atributo do produto | Valor do Atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoria do produto: | Transistores Bipolares - BJT |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Pacote/Caixa: | SOT-23-3 |
| Polaridade do transistor: | NPN |
| Configuração: | Solteiro |
| Tensão Coletor-Emissor VCEO Máx.: | 60 V |
| Tensão Coletor-Base VCBO: | 140 V |
| Tensão emissor-base VEBO: | 8 V |
| Tensão de saturação coletor-emissor: | 140 mV |
| Corrente máxima do coletor CC: | 2 A |
| Pd - Dissipação de Potência: | 540 mW |
| Produto de ganho de largura de banda fT: | 100 MHz |
| Temperatura mínima de operação: | - 55°C |
| Temperatura máxima de operação: | + 150 °C |
| Série: | NSS60201LT1G |
| Embalagem: | Carretel |
| Embalagem: | Cortar fita |
| Embalagem: | MouseReel |
| Marca: | onsemi |
| Coletor DC/Ganho de base hfe Min: | 160 |
| Altura: | 0,94 milímetros |
| Comprimento: | 2,9 milímetros |
| Tipo de produto: | BJTs - Transistores Bipolares |
| Quantidade de embalagem de fábrica: | 3000 |
| Subcategoria: | Transistores |
| Tecnologia: | Si |
| Largura: | 1,3 milímetros |
| Peso unitário: | 0,000282 onças |
♠ Transistor de baixo VCE(sat), NPN, 60 V, 4,0 A
A família e2PowerEdge de transistores de baixo VCE(sat) da ON Semiconductor são dispositivos miniatura para montagem em superfície com tensão de saturação ultrabaixa (VCE(sat)) e alta capacidade de ganho de corrente. São projetados para uso em aplicações de comutação de baixa tensão e alta velocidade, onde o controle de energia eficiente e acessível é fundamental.
Aplicações típicas são conversores CC-CC e gerenciamento de energia em produtos portáteis e alimentados por bateria, como telefones celulares e sem fio, PDAs, computadores, impressoras, câmeras digitais e tocadores de MP3. Outras aplicações incluem controles de motores de baixa tensão em produtos de armazenamento em massa, como unidades de disco e unidades de fita. Na indústria automotiva, podem ser usados no acionamento de airbags e no painel de instrumentos. O alto ganho de corrente permite que os dispositivos e2PowerEdge sejamacionados diretamente pelas saídas de controle da PMU, e o ganho linear (Beta) os torna componentes ideais em amplificadores analógicos.
• Prefixo NSV para aplicações automotivas e outras que exigem requisitos exclusivos de mudança de local e controle; qualificado pela AEC-Q101 e com capacidade para PPAP
• Esses dispositivos são livres de chumbo, halogênio/BFR e estão em conformidade com a RoHS
