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Drivers de porta SIC621CD-T1-GE3 60A VRPwr 2 MHz modo PS4 5V PWM

Drivers de porta SIC621CD-T1-GE3 60A VRPwr 2 MHz modo PS4 5V PWM Imagem em destaque
  • Drivers de porta SIC621CD-T1-GE3 60A VRPwr 2 MHz modo PS4 5V PWM

Descrição curta:

Fabricantes: Vishay

Categoria do produto: Drivers de portão

Ficha de dados:SIC621CD-T1-GE3

Descrição: CI REG BUCK AJUSTÁVEL 2A 8WSON

Status RoHS: compatível com RoHS


Envie um e-mail para nós

Detalhes do produto

Características

APLICAÇÕES

Etiquetas de produtos

♠ Descrição do produto

Atributo do produto Valor do Atributo
Fabricante: Vishay
Categoria do produto: Motoristas de portão
RoHS: Detalhes
Produto: Drivers de porta MOSFET
Tipo: Lado alto, lado baixo
Estilo de montagem: SMD/SMT
Pacote/Caixa: MLP55-31
Número de motoristas: 1 motorista
Número de saídas: 1 Saída
Corrente de saída: 60 A
Tensão de alimentação - Mín.: 4,5 V
Tensão de alimentação - Máx.: 18 V
Configuração: Não Inversor
Tempo de subida: 35 ns
Tempo de outono: 10 ns
Temperatura mínima de operação: - 55°C
Temperatura máxima de operação: + 150 °C
Série: SIC621
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cortar fita
Embalagem: MouseReel
Marca: Vishay Semicondutores
Pd - Dissipação de Potência: 1,6 W
Tipo de produto: Motoristas de portão
Rds On - Resistência Dreno-Fonte: 110 mOhms
Quantidade de embalagem de fábrica: 3000
Subcategoria: PMIC - CIs de gerenciamento de energia
Tecnologia: Si
Nome comercial: DrMOS VRPower
Peso unitário: 0,000423 onças

♠ 60 A VRPower® Estágio de Potência Integrado

O SiC621 é uma solução integrada de estágio de potência otimizada para aplicações de buck síncrono, oferecendo desempenho de alta corrente, alta eficiência e alta densidade de potência. Embalado no encapsulamento MLP de 5 mm x 5 mm exclusivo da Vishay, o SiC621 permite que projetos de reguladores de tensão forneçam até 60 A de corrente contínua por fase.

Os MOSFETs de potência interna utilizam a tecnologia de última geração Gen IV TrenchFET da Vishay, que oferece desempenho de referência do setor para reduzir significativamente as perdas de comutação e condução.

O SiC621 incorpora um circuito integrado avançado de driver de porta MOSFET com alta capacidade de condução de corrente, controle de tempo morto adaptativo, diodo Schottky bootstrap integrado e detecção de corrente zero para melhorar a eficiência de carga leve. O driver também é compatível com uma ampla gama de controladores PWM, suporta PWM tri-state e lógica PWM de 5 V.

Uma função de modo de emulação de diodo selecionável pelo usuário (ZCD_EN#) está incluída para melhorar o desempenho de carga leve. O dispositivo também suporta o modo PS4 para reduzir o consumo de energia quando o sistema opera em estado de espera.


  • Anterior: DS1340U-33T&R Relógio em Tempo Real IC RTC com Carregador de Tempo
  • Próximo: FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V

  • • Pacote PowerPAK® MLP55-31L termicamente aprimorado

    • Tecnologia MOSFET Gen IV da Vishay e um MOSFET de lado baixo com diodo Schottky integrado

    • Fornece até 60 A de corrente contínua

    • Desempenho de alta eficiência

    • Operação de alta frequência de até 2 MHz

    • MOSFETs de potência otimizados para estágio de entrada de 12 V

    • Lógica PWM de 5 V com tri-estado e espera

    • Suporta requisito de carga leve do modo PS4 para IMVP8 com baixa corrente de alimentação de desligamento (5 V, 5 μA)

    • Bloqueio de subtensão para VCIN

    • VRDs multifásicos para computação, placa gráfica e memória

    • Entrega Intel IMVP-8 VRPower – plataformas VCORE, VGRAPHICS, VSYSTEM AGENT Skylake, Kabylake – VCCGI para plataformas Apollo Lake

    • Até 18 módulos VR DC/DC de entrada de trilho V

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