STD35P6LLF6 MOSFET canal P 60V 0,025Ohm tipo 35A STripFET F6 MOSFET de potência

Pequena descrição:

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoria do produto: Transistores – FETs, MOSFETs – Simples
Ficha de dados:STD35P6LLF6
Descrição: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
Status RoHS: Compatível com RoHS


Detalhes do produto

Características

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♠ Descrição do produto

Atributo do produto Valor do atributo
Fabricante: STMicroeletrônica
Categoria de Produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Pacote / Estojo: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de interrupção da fonte de dreno: 60 V
Id - Corrente de Drenagem Contínua: 35A
Rds On - Resistência da Fonte de Dreno: 28mOhms
Vgs - Tensão da Fonte do Gate: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensão limite da fonte de porta: 1V
Qg - Carga do Portão: 30 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de energia: 70 W
Modo de Canal: Aprimoramento
Nome comercial: StripFET
Series: STD35P6LLF6
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cortar fita
Embalagem: MouseReelName
Marca: STMicroeletrônica
Configuração: Solteiro
Tempo de outono: 21 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de subida: 39 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 2500
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 P-Channel Power MOSFET
Tempo típico de atraso de desligamento: 171 ns
Tempo de Atraso de Ligação Típico: 51,4 ns
Unidade de peso: 0,011640 onças

♠ STD35P6LLF6 P-channel 60 V, 0,025 Ω tip., 35 A STripFET™ F6 Power MOSFET em um pacote DPAK

Este dispositivo é um Power MOSFET de canal P desenvolvido usando a tecnologia STripFET™ F6, com uma nova estrutura de trincheira.O Power MOSFET resultante exibe RDS(on) muito baixo em todos os pacotes.


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  •  Resistência muito baixa

     Taxa de porta muito baixa

     Alta robustez de avalanche

     Baixa perda de potência do acionamento do portão

     Troca de aplicativos

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