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MOSFET STD4NK100Z de nível automotivo, canal N, 1000 V, 5,6 Ohm, tipo 2,2 A, SuperMESH Power MOSFET

MOSFET de potência STD4NK100Z, canal N, 1000 V, 5,6 Ohm, tipo 2,2 A, SuperMESH, grau automotivo, imagem em destaque
  • MOSFET STD4NK100Z de nível automotivo, canal N, 1000 V, 5,6 Ohm, tipo 2,2 A, SuperMESH Power MOSFET

Descrição curta:

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoria do produto: MOSFET
Ficha de dados:STD4NK100Z
Descrição: MOSFETs de potência
Status RoHS: compatível com RoHS


Envie um e-mail para nós

Detalhes do produto

Características

Aplicações

Etiquetas de produtos

♠ Descrição do produto

Atributo do produto Valor do Atributo
Fabricante: STMicroeletrônica
Categoria do produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Pacote/Caixa: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 1 kV
Id - Corrente de Dreno Contínua: 2.2 A
Rds On - Resistência Dreno-Fonte: 6,8 Ohms
Vgs - Tensão de porta-fonte: - 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensão de limiar de porta-fonte: 4,5 V
Qg - Taxa de portão: 18 nC
Temperatura mínima de operação: - 55°C
Temperatura máxima de operação: + 150 °C
Pd - Dissipação de Potência: 90 W
Modo de canal: Aprimoramento
Qualificação: AEC-Q101
Nome comercial: SuperMESH
Série: STD4NK100Z
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cortar fita
Embalagem: MouseReel
Marca: STMicroeletrônica
Configuração: Solteiro
Tempo de outono: 39 ns
Altura: 2,4 milímetros
Comprimento: 10,1 milímetros
Produto: MOSFETs de potência
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de subida: 7,5 ns
Quantidade de embalagem de fábrica: 2500
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: SuperMESH
Tempo típico de atraso de ativação: 15 ns
Largura: 6,6 milímetros
Peso unitário: 0,011640 onças

 

♠ Canal N de nível automotivo 1000 V, 5,6 Ω típico, 2,2 A SuperMESH™ Power MOSFET protegido por Zener em um DPAK

Este dispositivo é um MOSFET de potência protegido por Zener de canal N, desenvolvido utilizando a tecnologia SuperMESH™ da STMicroelectronics, obtida por meio da otimização do consagrado layout PowerMESH™ baseado em fita da ST. Além de uma redução significativa na resistência de ativação, este dispositivo foi projetado para garantir um alto nível de capacidade dv/dt para as aplicações mais exigentes.


  • Anterior: Microcontroladores STM8AF6266TCY de 8 bits – MCU automotivo MCU de 8 bits Rev X LIN 32Kb 32Pin
  • Próximo: Microcontroladores ARM STM32F401RET6 – MCU STM32 Dynamic Efficiency MCU, DSP e FPU com núcleo Arm Cortex-M4, até 512 Kbytes de

  • • Projetado para aplicações automotivas e qualificado pela AEC-Q101

    • Capacidade dv/dt extremamente alta

    • 100% testado contra avalanches

    • Taxa de portão minimizada

    • Capacitância intrínseca muito baixa

    • Protegido por Zener

    • Troca de aplicação

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