STH3N150-2 MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2,5A PowerMESH

Pequena descrição:

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoria do produto: MOSFET
Ficha de dados:STH3N150-2
Descrição: MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
Status RoHS: Compatível com RoHS


Detalhes do produto

Características

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♠ Descrição do produto

Atributo do produto Valor do atributo
Fabricante: STMicroeletrônica
Categoria de Produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Embalagem/Caixa: H2PAK-2
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de interrupção da fonte de dreno: 1,5 kV
Id - Corrente de Drenagem Contínua: 2,5 A
Rds On - Resistência da Fonte de Dreno: 9 ohms
Vgs - Tensão da Fonte do Gate: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensão limite da fonte de porta: 3V
Qg - Carga do Portão: 29,3 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de energia: 140 W
Modo de Canal: Aprimoramento
Nome comercial: PowerMESH
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cortar fita
Embalagem: MouseReelName
Marca: STMicroeletrônica
Configuração: Solteiro
Tempo de outono: 61 ns
Transcondutância direta - Mín.: 2,6 S
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de subida: 47 ns
Series: STH3N150-2
Quantidade do pacote de fábrica: 1000
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 MOSFET de potência de canal N
Tempo típico de atraso de desligamento: 45 ns
Tempo de Atraso de Ligação Típico: 24 ns
Unidade de peso: 4 g

♠ Canal N 1500 V, 2,5 A, 6 Ω típicos, PowerMESH Power MOSFETs em pacotes TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 e TO247

Esses Power MOSFETs são projetados usando o processo MESH OVERLAY baseado em strip-layout consolidado da STMicroelectronics.O resultado é um produto que iguala ou melhora o desempenho de peças padrão comparáveis ​​de outros fabricantes.


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  • • 100% testado contra avalanche

    • Capacitâncias intrínsecas e Qg minimizadas

    • Comutação de alta velocidade

    • Pacote de plástico TO-3PF totalmente isolado, o caminho da distância de fuga é de 5,4 mm (típico).

     

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