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SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100V 37A 136W 43mohm 10V

Imagem em destaque: MOSFET SUD50P10-43L-E3 100V 37A 136W 43mohm 10V
  • SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100V 37A 136W 43mohm 10V

Descrição curta:

Fabricantes: Vishay / Siliconix

Categoria do produto: Transistores – FETs, MOSFETs – Único

Ficha de dados:SUD50P10-43L-E3

Descrição: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252

Status RoHS: compatível com RoHS


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Detalhes do produto

Características

Etiquetas de produtos

♠ Descrição do produto

Atributo do produto Valor do Atributo
Fabricante: Vishay
Categoria do produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Pacote/Caixa: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 100 V
Id - Corrente de Dreno Contínua: 37.1 A
Rds On - Resistência Dreno-Fonte: 43 mOhms
Vgs - Tensão de porta-fonte: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensão de limiar de porta-fonte: 1 V
Qg - Taxa de portão: 106 nC
Temperatura mínima de operação: - 55°C
Temperatura máxima de operação: + 175 °C
Pd - Dissipação de Potência: 136 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: TrenchFET
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cortar fita
Embalagem: MouseReel
Marca: Vishay Semicondutores
Configuração: Solteiro
Tempo de outono: 100 ns
Transcondutância direta - mín.: 38 S
Altura: 2,38 milímetros
Comprimento: 6,73 milímetros
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de subida: 20 ns, 160 ns
Série: SUD
Quantidade de embalagem de fábrica: 2000
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal P
Tempo típico de atraso de desligamento: 100 ns, 110 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 15 ns, 42 ns
Largura: 6,22 milímetros
Pseudônimos da peça nº: SUD50P10-43L-BE3
Peso unitário: 0,011640 onças

 


  • Anterior: SUD19P06-60-GE3 MOSFET 60V 19A 38,5W 60mohm @ 10V
  • Próximo: Transistores bipolares MUN5113DW1T1G – SS BR XSTR PNP pré-polarizados 50V

  • • MOSFET de potência TrenchFET®

    • Em conformidade com a Diretiva RoHS 2002/95/CE

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