CIs de comutação de potência VNB35NV04TR-E – Distribuição de energia N-Ch 70V 35A OmniFET
♠ Descrição do produto
Atributo do produto | Valor do Atributo |
Fabricante: | STMicroeletrônica |
Categoria do produto: | CIs de interruptores de energia - Distribuição de energia |
Tipo: | Lado baixo |
Número de saídas: | 1 Saída |
Limite de corrente: | 30 A |
Sobre Resistência - Máx.: | 13 mOhms |
No horário - Máx.: | 500 ns |
Tempo de folga - Máx.: | 3 nós |
Tensão de alimentação operacional: | 24 V |
Temperatura mínima de operação: | - 40°C |
Temperatura máxima de operação: | + 150 °C |
Estilo de montagem: | SMD/SMT |
Pacote/Caixa: | D2PAK-2 |
Série: | VNB35NV04-E |
Qualificação: | AEC-Q100 |
Embalagem: | Carretel |
Embalagem: | Cortar fita |
Embalagem: | MouseReel |
Marca: | STMicroeletrônica |
Sensível à umidade: | Sim |
Pd - Dissipação de Potência: | 125 W |
Produto: | Interruptores de carga |
Tipo de produto: | CIs de interruptores de energia - Distribuição de energia |
Quantidade de embalagem de fábrica: | 1000 |
Subcategoria: | CIs de comutação |
Peso unitário: | 0,066315 onças |
♠ OMNIFET II: MOSFET de potência totalmente autoprotegido
Os VNB35NV04-E, VNP35NV04-E e VNV35NV04-E são dispositivos monolíticos projetados com a tecnologia STMicroelectronics® VIPower® M0-3, destinados à substituição de MOSFETs de potência padrão em aplicações de CC até 25 kHz.
Desligamento térmico integrado, limitação de corrente linear e grampo de sobretensão protegem o chip em ambientes adversos. O feedback de falhas pode ser detectado monitorando a tensão no pino de entrada.
• Limitação de corrente linear
• Desligamento térmico
• Proteção contra curto-circuito
• Grampo integrado
• Baixa corrente extraída do pino de entrada
• Feedback de diagnóstico através do pino de entrada
• Proteção ESD
• Acesso direto ao gate do Power MOSFET (condução analógica)
• Compatível com MOSFET de potência padrão