Drivers de porta VNS3NV04DPTR-E OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Descrição do produto
Atributo do produto | Valor do Atributo |
Fabricante: | STMicroeletrônica |
Categoria do produto: | Motoristas de portão |
RoHS: | Detalhes |
Produto: | Drivers de porta MOSFET |
Tipo: | Lado baixo |
Estilo de montagem: | SMD/SMT |
Pacote/Caixa: | SOIC-8 |
Número de motoristas: | 2 Motorista |
Número de saídas: | 2 Saída |
Corrente de saída: | 5 A |
Tensão de alimentação - Máx.: | 24 V |
Tempo de subida: | 250 ns |
Tempo de outono: | 250 ns |
Temperatura mínima de operação: | - 40°C |
Temperatura máxima de operação: | + 150 °C |
Série: | VNS3NV04DP-E |
Qualificação: | AEC-Q100 |
Embalagem: | Carretel |
Embalagem: | Cortar fita |
Embalagem: | MouseReel |
Marca: | STMicroeletrônica |
Sensível à umidade: | Sim |
Corrente de alimentação operacional: | 100 uA |
Tipo de produto: | Motoristas de portão |
Quantidade de embalagem de fábrica: | 2500 |
Subcategoria: | PMIC - CIs de gerenciamento de energia |
Tecnologia: | Si |
Peso unitário: | 0,005291 oz |
♠ MOSFET de potência totalmente autoprotegido OMNIFET II
O dispositivo VNS3NV04DP-E é composto por dois chips monolíticos (OMNIFET II) alojados em um encapsulamento SO-8 padrão. O OMNIFET II foi projetado utilizando a tecnologia STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 e destina-se à substituição de MOSFETs de potência padrão em aplicações CC de até 50 kHz.
Desligamento térmico integrado, limitação de corrente linear e grampo de sobretensão protegem o chip em ambientes adversos.
O feedback de falha pode ser detectado monitorando a tensão no pino de entrada
■ ECOPACK®: sem chumbo e em conformidade com RoHS
■ Grau automotivo: conformidade com as diretrizes AEC
■ Limitação de corrente linear
■ Desligamento térmico
■ Proteção contra curto-circuito
■ Grampo integrado
■ Baixa corrente extraída do pino de entrada
■ Feedback de diagnóstico através do pino de entrada
■ Proteção ESD
■ Acesso direto ao gate do Power MOSFET (condução analógica)
■ Compatível com MOSFET de potência padrão