VNS3NV04DPTR-E Gate Drivers OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Descrição do produto
Atributo do produto | Valor do atributo |
Fabricante: | STMicroeletrônica |
Categoria de Produto: | Porteiros |
RoHS: | Detalhes |
Produtos: | Drivers MOSFET Gate |
Tipo: | Parte de baixo |
Estilo de montagem: | SMD/SMT |
Pacote / Estojo: | SOIC-8 |
Número de motoristas: | 2 Motorista |
Número de saídas: | 2 Saída |
Corrente de saída: | 5A |
Tensão de alimentação - Máx.: | 24 V |
Tempo de subida: | 250 ns |
Tempo de outono: | 250 ns |
Temperatura operacional mínima: | - 40 C |
Temperatura operacional máxima: | + 150 C |
Series: | VNS3NV04DP-E |
Qualificação: | AEC-Q100 |
Embalagem: | Carretel |
Embalagem: | Cortar fita |
Embalagem: | MouseReelName |
Marca: | STMicroeletrônica |
Sensível à umidade: | Sim |
Corrente de alimentação operacional: | 100 uA |
Tipo de Produto: | Porteiros |
Quantidade do pacote de fábrica: | 2500 |
Subcategoria: | PMIC - ICs de gerenciamento de energia |
Tecnologia: | Si |
Unidade de peso: | 0,005291 onças |
♠ MOSFET de potência totalmente autoprotegido OMNIFET II
O dispositivo VNS3NV04DP-E é composto por dois chips monolíticos (OMNIFET II) alojados em um pacote SO-8 padrão.O OMNIFET II foi projetado usando a tecnologia STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 e destina-se à substituição de MOSFETs de potência padrão em aplicações de até 50 kHz DC.
Desligamento térmico integrado, limitação de corrente linear e braçadeira de sobretensão protegem o chip em ambientes hostis.
O feedback de falha pode ser detectado monitorando a tensão no pino de entrada
■ ECOPACK®: sem chumbo e compatível com RoHS
■ Grau automotivo: conformidade com as diretrizes da AEC
■ Limitação de corrente linear
■ Desligamento térmico
■ Proteção contra curto-circuito
■ Braçadeira integrada
■ Baixa corrente extraída do pino de entrada
■ Feedback de diagnóstico através do pino de entrada
■ Proteção ESD
■ Acesso direto ao portão do Power MOSFET (condução analógica)
■ Compatível com MOSFET de potência padrão