AUIRFN8459TR MOSFET 40V canal N duplo HEXFET

Pequena descrição:

Fabricantes: Infineon Technologies

Categoria do produto: Transistores – FETs, MOSFETs – Arrays

Ficha de dados:AUIRFN8459TR

Descrição: MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN

Status RoHS: Compatível com RoHS


Detalhes do produto

Características

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Etiquetas de produtos

♠ Descrição do produto

Atributo do produto Valor do atributo
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Pacote / Estojo: PQFN-8
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 2 canais
Vds - Tensão de interrupção da fonte de dreno: 40 V
Id - Corrente de Drenagem Contínua: 70A
Rds On - Resistência da Fonte de Dreno: 5,9 mOhms
Vgs - Tensão da Fonte do Gate: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensão limite da fonte de porta: 3V
Qg - Carga do Portão: 40 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de energia: 50 W
Modo de Canal: Aprimoramento
Qualificação: AEC-Q101
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cortar fita
Embalagem: MouseReelName
Marca: Tecnologias Infineon
Configuração: Dual
Tempo de outono: 42 ns
Transcondutância direta - Mín.: 66 S
Altura: 1,2 mm
Comprimento: 6 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de subida: 55 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 4000
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 2 Canal N
Tempo típico de atraso de desligamento: 25 ns
Tempo de Atraso de Ligação Típico: 10 ns
Largura: 5 mm
Part # Aliases: AUIRFN8459TR SP001517406
Unidade de peso: 0,004308 onças

♠ MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET

Especificamente projetado para aplicações automotivas, este HEXFET® Power MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para obter resistência extremamente baixa por área de silício.As características adicionais deste projeto são uma temperatura operacional de junção de 175°C, velocidade de comutação rápida e classificação de avalanche repetitiva melhorada.Esses recursos se combinam para tornar este produto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso automotivo e em uma ampla variedade de outras aplicações.


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  •  Tecnologia de Processo Avançada

     MOSFET Dual N-Channel

     Ultra Low On-Resistência

     Temperatura operacional de 175°C

     Mudança rápida

     Avalanche Repetitiva Permitida até Tjmax

     Sem chumbo, compatível com RoHS

     Qualificado Automotivo *

     Sistemas Automotivos 12V

     Motor DC escovado

     Frenagem

     Transmissão

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