Transistores bipolares MBT3904DW1T1G – BJT 200mA 60V NPN duplo
♠ Descrição do produto
| Atributo do produto | Valor do Atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoria do produto: | Transistores Bipolares - BJT |
| RoHS: | Detalhes |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Pacote/Caixa: | SC-70-6 |
| Polaridade do transistor: | NPN |
| Configuração: | Dual |
| Tensão Coletor-Emissor VCEO Máx.: | 40 V |
| Tensão Coletor-Base VCBO: | 60 V |
| Tensão emissor-base VEBO: | 6 V |
| Tensão de saturação coletor-emissor: | 300 mV |
| Corrente máxima do coletor CC: | 200 mA |
| Pd - Dissipação de Potência: | 150 mW |
| Produto de ganho de largura de banda fT: | 300 MHz |
| Temperatura mínima de operação: | - 55°C |
| Temperatura máxima de operação: | + 150 °C |
| Série: | MBT3904DW1 |
| Embalagem: | Carretel |
| Embalagem: | Cortar fita |
| Embalagem: | MouseReel |
| Marca: | onsemi |
| Corrente de coletor contínua: | - 2 A |
| Coletor DC/Ganho de base hfe Min: | 40 |
| Altura: | 0,9 milímetros |
| Comprimento: | 2 milímetros |
| Tipo de produto: | BJTs - Transistores Bipolares |
| Quantidade de embalagem de fábrica: | 3000 |
| Subcategoria: | Transistores |
| Tecnologia: | Si |
| Largura: | 1,25 milímetros |
| Pseudônimos da peça nº: | MBT3904DW1T3G |
| Peso unitário: | 0,000988 onças |
• hFE, 100−300 • VCE(sat) baixo, ≤ 0,4 V
• Simplifica o projeto do circuito
• Reduz o espaço da placa
• Reduz a contagem de componentes
• Disponível em fita e rolo de 8 mm, 7 polegadas/3.000 unidades
• Prefixo S e NSV para aplicações automotivas e outras que exigem requisitos exclusivos de mudança de local e controle; Qualificado AEC-Q101 e com capacidade PPAP
• Esses dispositivos são livres de chumbo, halogênio/BFR e estão em conformidade com a RoHS
