Transistores bipolares MBT3904DW1T1G - BJT 200mA 60V NPN duplo
♠ Descrição do produto
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoria de Produto: | Transistores Bipolares - BJT |
| RoHS: | Detalhes |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Pacote / Estojo: | SC-70-6 |
| Polaridade do transistor: | NPN |
| Configuração: | Dual |
| Coletor- Emissor Tensão VCEO Max: | 40 V |
| Coletor - Tensão Base VCBO: | 60 V |
| Tensão base do emissor VEBO: | 6 V |
| Tensão de Saturação do Coletor-Emissor: | 300 mV |
| Corrente Máxima do Coletor CC: | 200 mA |
| Pd - Dissipação de energia: | 150 mW |
| Ganho Produto de Largura de Banda fT: | 300 MHz |
| Temperatura operacional mínima: | - 55 C |
| Temperatura operacional máxima: | + 150 C |
| Series: | MBT3904DW1 |
| Embalagem: | Carretel |
| Embalagem: | Cortar fita |
| Embalagem: | MouseReelName |
| Marca: | onsemi |
| Corrente Contínua do Coletor: | - 2A |
| DC Collector/Base Ganho hfe Min: | 40 |
| Altura: | 0,9 mm |
| Comprimento: | 2 mm |
| Tipo de Produto: | BJTs - Transistores Bipolares |
| Quantidade do pacote de fábrica: | 3000 |
| Subcategoria: | Transistores |
| Tecnologia: | Si |
| Largura: | 1,25 mm |
| Part # Aliases: | MBT3904DW1T3G |
| Unidade de peso: | 0,000988 onças |
• hFE, 100−300 • Baixo VCE(sat), ≤ 0,4 V
• Simplifica o projeto do circuito
• Reduz o espaço da placa
• Reduz a contagem de componentes
• Disponível em fita e bobina de 8 mm, 7 polegadas/3.000 unidades
• Prefixo S e NSV para aplicações automotivas e outras que exigem requisitos exclusivos de mudança de local e controle;Qualificado AEC-Q101 e compatível com PPAP
• Esses dispositivos são isentos de Pb, isentos de halogênio/livres de BFR e são compatíveis com RoHS
