SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
♠ Descrição do produto
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | Vishay |
| Categoria de Produto: | MOSFET |
| Tecnologia: | Si |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Pacote / Estojo: | SOT-23-3 |
| Polaridade do transistor: | Canal P |
| Número de canais: | 1 canal |
| Vds - Tensão de interrupção da fonte de dreno: | 8 V |
| Id - Corrente de Drenagem Contínua: | 5,8 A |
| Rds On - Resistência da Fonte de Dreno: | 35 mOhms |
| Vgs - Tensão da Fonte do Gate: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tensão limite da fonte de porta: | 1V |
| Qg - Carga do Portão: | 12 nC |
| Temperatura operacional mínima: | - 55 C |
| Temperatura operacional máxima: | + 150 C |
| Pd - Dissipação de energia: | 1,7 W |
| Modo de Canal: | Aprimoramento |
| Nome comercial: | Vala FET |
| Embalagem: | Carretel |
| Embalagem: | Cortar fita |
| Embalagem: | MouseReelName |
| Marca: | Semicondutores Vishay |
| Configuração: | Solteiro |
| Tempo de outono: | 10 ns |
| Altura: | 1,45 mm |
| Comprimento: | 2,9 mm |
| Tipo de Produto: | MOSFET |
| Tempo de subida: | 20 ns |
| Series: | SI2 |
| Quantidade do pacote de fábrica: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 1 P-Canal |
| Tempo típico de atraso de desligamento: | 40 ns |
| Tempo de Atraso de Ligação Típico: | 20 ns |
| Largura: | 1,6 mm |
| Part # Aliases: | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| Unidade de peso: | 0,000282 onças |
• Sem halogênio De acordo com a definição IEC 61249-2-21
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100% Rg Testado
• Em conformidade com a Diretiva RoHS 2002/95/EC
• Interruptor de Carga para Dispositivos Portáteis
• Conversor CC/CC
