NTTFS4C10NTAG MOSFET NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
♠ Descrição do produto
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoria de Produto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalhes |
| Tecnologia: | Si |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Embalagem/Caixa: | WDFN-8 |
| Polaridade do transistor: | Canal N |
| Número de canais: | 1 canal |
| Vds - Tensão de interrupção da fonte de dreno: | 30 V |
| Id - Corrente de Drenagem Contínua: | 44A |
| Rds On - Resistência da Fonte de Dreno: | 7,4 mOhms |
| Vgs - Tensão da Fonte do Gate: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensão limite da fonte de porta: | 1,3 V |
| Qg - Carga do Portão: | 18,6 nC |
| Temperatura operacional mínima: | - 55 C |
| Temperatura operacional máxima: | + 150 C |
| Pd - Dissipação de energia: | 3,9 W |
| Modo de Canal: | Aprimoramento |
| Embalagem: | Carretel |
| Embalagem: | Cortar fita |
| Embalagem: | MouseReelName |
| Marca: | onsemi |
| Configuração: | Solteiro |
| Tipo de Produto: | MOSFET |
| Series: | NTTFS4C10N |
| Quantidade do pacote de fábrica: | 1500 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Unidade de peso: | 29,570 mg |
♠ MOSFET NTTFS4C10N – Potência, Simples, Canal N, 8FL 30 V, 44 A
• Baixo RDS(on) para minimizar as perdas de condução
• Baixa capacitância para minimizar as perdas do driver
• Carga de porta otimizada para minimizar perdas de comutação
• Esses dispositivos são isentos de Pb, isentos de halogênio/livres de BFR e são compatíveis com RoHS
• Conversores DC-DC
• Interruptor de carga de energia
• Gerenciamento de bateria do notebook
