SI9945BDY-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
♠ Descrição do produto
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | Vishay |
| Categoria de Produto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalhes |
| Tecnologia: | Si |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Embalagem/Caixa: | SOIC-8 |
| Polaridade do transistor: | Canal N |
| Número de canais: | 2 canais |
| Vds - Tensão de interrupção da fonte de dreno: | 60 V |
| Id - Corrente de Drenagem Contínua: | 5,3 A |
| Rds On - Resistência da Fonte de Dreno: | 58 mOhms |
| Vgs - Tensão da Fonte do Gate: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensão limite da fonte de porta: | 1V |
| Qg - Carga do Portão: | 13 nC |
| Temperatura operacional mínima: | - 55 C |
| Temperatura operacional máxima: | + 150 C |
| Pd - Dissipação de energia: | 3,1 W |
| Modo de Canal: | Aprimoramento |
| Nome comercial: | Vala FET |
| Embalagem: | Carretel |
| Embalagem: | Cortar fita |
| Embalagem: | MouseReelName |
| Marca: | Semicondutores Vishay |
| Configuração: | Dual |
| Tempo de outono: | 10 ns |
| Transcondutância direta - Mín.: | 15S |
| Tipo de Produto: | MOSFET |
| Tempo de subida: | 15 ns, 65 ns |
| Series: | IS9 |
| Quantidade do pacote de fábrica: | 2500 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 2 Canal N |
| Tempo típico de atraso de desligamento: | 10 ns, 15 ns |
| Tempo de Atraso de Ligação Típico: | 15 ns, 20 ns |
| Part # Aliases: | SI9945BDY-GE3 |
| Unidade de peso: | 750 mg |
• MOSFET de potência TrenchFET®
• TV LCD Inversor CCFL
• Interruptor de carga
