Drivers de porta VNS1NV04DPTR-E OMNIFET POWER MOSFET 40V 1,7 A
♠ Descrição do produto
| Atributo do produto | Valor do Atributo |
| Fabricante: | STMicroeletrônica |
| Categoria do produto: | Motoristas de portão |
| Produto: | Drivers de porta MOSFET |
| Tipo: | Lado baixo |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Pacote/Caixa: | SOIC-8 |
| Número de motoristas: | 2 Motorista |
| Número de saídas: | 2 Saída |
| Corrente de saída: | 1,7 A |
| Tensão de alimentação - Máx.: | 24 V |
| Tempo de subida: | 500 ns |
| Tempo de outono: | 600 ns |
| Temperatura mínima de operação: | - 40°C |
| Temperatura máxima de operação: | + 150 °C |
| Série: | VNS1NV04DP-E |
| Qualificação: | AEC-Q100 |
| Embalagem: | Carretel |
| Embalagem: | Cortar fita |
| Embalagem: | MouseReel |
| Marca: | STMicroeletrônica |
| Sensível à umidade: | Sim |
| Corrente de alimentação operacional: | 150 uA |
| Tipo de produto: | Motoristas de portão |
| Quantidade de embalagem de fábrica: | 2500 |
| Subcategoria: | PMIC - CIs de gerenciamento de energia |
| Tecnologia: | Si |
| Peso unitário: | 0,005291 oz |
♠ MOSFET de potência totalmente autoprotegido OMNIFET II
O VNS1NV04DP-E é um dispositivo composto por dois chips OMNIFET II monolíticos alojados em um encapsulamento SO-8 padrão. Os OMNIFET II são projetados com a tecnologia VIPower™ M0-3 da STMicroelectronics: destinam-se à substituição de MOSFETs de potência padrão em aplicações de CC até 50 KHz. Desligamento térmico, limitação de corrente linear e grampo de sobretensão integrados protegem o chip em ambientes agressivos.
O feedback de falha pode ser detectado monitorando a tensão no pino de entrada.
• Limitação de corrente linear
• Desligamento térmico
• Proteção contra curto-circuito
• Grampo integrado
• Baixa corrente extraída do pino de entrada
• Feedback de diagnóstico através do pino de entrada
• Proteção ESD
• Acesso direto ao gate do mosfet de potência (condução analógica)
• Compatível com mosfet de potência padrão
• Em conformidade com a diretiva europeia 2002/95/CE
