Drivers de porta VNS1NV04DPTR-E OMNIFET POWER MOSFET 40V 1,7 A
♠ Descrição do produto
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | STMicroeletrônica |
| Categoria de Produto: | Porteiros |
| Produtos: | Drivers MOSFET Gate |
| Tipo: | Parte de baixo |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Pacote / Estojo: | SOIC-8 |
| Número de motoristas: | 2 Motorista |
| Número de saídas: | 2 Saída |
| Corrente de saída: | 1,7 A |
| Tensão de alimentação - Máx.: | 24 V |
| Tempo de subida: | 500 ns |
| Tempo de outono: | 600 ns |
| Temperatura operacional mínima: | - 40 C |
| Temperatura operacional máxima: | + 150 C |
| Series: | VNS1NV04DP-E |
| Qualificação: | AEC-Q100 |
| Embalagem: | Carretel |
| Embalagem: | Cortar fita |
| Embalagem: | MouseReelName |
| Marca: | STMicroeletrônica |
| Sensível à umidade: | Sim |
| Corrente de alimentação operacional: | 150 uA |
| Tipo de Produto: | Porteiros |
| Quantidade do pacote de fábrica: | 2500 |
| Subcategoria: | PMIC - ICs de gerenciamento de energia |
| Tecnologia: | Si |
| Unidade de peso: | 0,005291 onças |
♠ MOSFET de potência totalmente autoprotegido OMNIFET II
O VNS1NV04DP-E é um dispositivo formado por dois chips monolíticos OMNIFET II alojados em um pacote SO-8 padrão.Os OMNIFET II são projetados na tecnologia STMicroelectronics VIPower™ M0-3: eles são destinados à substituição de MOSFETs de potência padrão de aplicações DC até 50KHz.Construído em desligamento térmico, limitação de corrente linear e braçadeira de sobretensão protege o chip em ambientes hostis.
O feedback de falha pode ser detectado monitorando a tensão no pino de entrada.
• Limitação de corrente linear
• Desligamento térmico
• Proteção contra curto-circuito
• Braçadeira integrada
• Baixa corrente consumida do pino de entrada
• Feedback de diagnóstico através do pino de entrada
• Proteção ESD
• Acesso direto ao portão do power mosfet (condução analógica)
• Compatível com mosfet de potência padrão
• Em conformidade com a diretiva europeia 2002/95/EC
