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MOSFET AUIRFN8459TR 40 V Canal N Duplo HEXFET

Imagem em destaque do MOSFET AUIRFN8459TR 40 V Dual N Channel HEXFET
  • MOSFET AUIRFN8459TR 40 V Canal N Duplo HEXFET

Descrição curta:

Fabricantes: Infineon Technologies

Categoria do produto: Transistores – FETs, MOSFETs – Arrays

Ficha de dados:AUIRFN8459TR

Descrição: MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN

Status RoHS: compatível com RoHS


Envie um e-mail para nós

Detalhes do produto

Características

Aplicações

Etiquetas de produtos

♠ Descrição do produto

Atributo do produto Valor do Atributo
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Pacote/Caixa: PQFN-8
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 2 canais
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 40 V
Id - Corrente de Dreno Contínua: 70 A
Rds On - Resistência Dreno-Fonte: 5,9 mOhms
Vgs - Tensão de porta-fonte: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensão de limiar de porta-fonte: 3 V
Qg - Taxa de portão: 40 nC
Temperatura mínima de operação: - 55°C
Temperatura máxima de operação: + 175 °C
Pd - Dissipação de Potência: 50 W
Modo de canal: Aprimoramento
Qualificação: AEC-Q101
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cortar fita
Embalagem: MouseReel
Marca: Tecnologias Infineon
Configuração: Dual
Tempo de outono: 42 ns
Transcondutância direta - mín.: 66 S
Altura: 1,2 milímetros
Comprimento: 6 milímetros
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de subida: 55 ns
Quantidade de embalagem de fábrica: 4000
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 2 canais N
Tempo típico de atraso de desligamento: 25 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 10 ns
Largura: 5 milímetros
Pseudônimos da peça nº: AUIRFN8459TR SP001517406
Peso unitário: 0,004308 onças

♠ MOSFET 40V Canal N Duplo HEXFET

Projetado especificamente para aplicações automotivas, este MOSFET HEXFET® Power utiliza as mais recentes técnicas de processamento para atingir uma resistência de ativação extremamente baixa por área de silício. Características adicionais deste projeto incluem uma temperatura operacional de junção de 175 °C, alta velocidade de comutação e melhor classificação de avalanche repetitiva. Essas características combinadas tornam este produto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso no setor automotivo e em uma ampla variedade de outras aplicações.


  • Anterior: CIs de potenciômetro digital AD5293BRUZ-20 1024 tap, 1% digiPOT com interface SPI
  • Próximo: LCMXO2-2000HC-4BG256C FPGA – Matriz de portas programável em campo 2112 LUTs 207 IO 3,3 V 4 velocidades

  •  Tecnologia de Processo Avançada

     MOSFET de canal N duplo

     Ultra Baixa Resistência

     Temperatura de operação de 175°C

     Troca rápida

     Avalanche repetitiva permitida até Tjmax

     Sem chumbo, em conformidade com RoHS

     Qualificado para Automotivo *

     Sistemas automotivos de 12 V

     Motor DC com escovas

     Frenagem

     Transmissão

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